鈮酸鋰(LN)

鈮酸鋰(LN)
產(chǎn)品詳情


鈮酸鋰(LiNbO3)是鈮、鋰和氧的化合物,是一種負晶體(n0>ne)。變形鈮酸鋰晶體是一種具有壓電、鐵電、光電、非線性光學和熱電等多種性能的材料。

鈮酸鋰晶體自發(fā)極化大( 室溫時 0. 70 C / m2 ) ,是目前發(fā)現(xiàn)的居里溫度最高(1 210 °C ) 的鐵電體 。 鈮 酸鋰晶體有兩個特點尤其引人關(guān)注,一是鈮酸鋰晶體光電效應(yīng)多,具有包括壓電效應(yīng)、電光效應(yīng)、非線性光學 效應(yīng)、光折變效應(yīng)、光生伏打效應(yīng)、光彈效應(yīng)、聲光效應(yīng)等多種光電性能;二是鈮酸鋰晶體的性能可調(diào)控性強, 這是由鈮酸鋰晶體的晶格結(jié)構(gòu)和豐富的缺陷結(jié)構(gòu)所導致,鈮酸鋰晶體的諸多性能可以通過晶體組分、元素摻 雜、價態(tài)控制等進行大幅度調(diào)控。 此外,鈮酸鋰晶體原料豐富,能夠制備高質(zhì)量的大尺寸單晶,晶體的物理化學性能穩(wěn)定,易于加工,光透過范圍寬(0. 3 ~ 5 μm) ,具有較大的雙折射( 約 0. 08@ 633 nm) ,而且容易 制備高質(zhì)量的光波導,所以基于鈮酸鋰晶體的聲表面波濾波器、光調(diào)制器、相位調(diào)制器、光隔離器、電光調(diào)Q開關(guān)、集成光學電路、圖像存儲、諧波產(chǎn)生、倍頻器件、參量振蕩、1064nm激光倍頻、四頻相位匹配器件等光電器件在電子技術(shù)、光通信技術(shù)、激光技術(shù)等領(lǐng)域中得到了廣泛研究和實際應(yīng)用。

隨著第五代無線通信(5 G) 、微納光子學、集成光子學以及量子光學等應(yīng)用領(lǐng)域的突破性進展,鈮酸鋰晶體再次引起了 廣泛的關(guān)注, 2017 年哈佛大學 Burrows甚至提出現(xiàn)在正在進入“ 鈮酸鋰谷” 時代。

摻雜MgO:LiNbO3晶體的抗損傷閾值比純LiNbO3晶體高出一倍以上。



Product Parameters                                                                                                                                                                                       Lithium Niobate Wafers (White or Black)

MaterialOptical GradeSAW GradeOptical grade SLN CLN
Curie Temp1142±2.0℃

1142±0.7℃

Cutting AngleX/Y/Z etcX/Y/Z/Y36/Y41/Y64/Y128/etcX/Y/Z etc
Diameter/size2”/3”/4”3”/4”/6"LN wafer & 8"under R/D

2”/3”/4”   ±0.03mm

Tol(±)<0.20 mm

<0.20 mm   ±0.005mm

Thickness0.18 ~ 0.5mm or more
Primary Flat
16mm/22mm /32mm /42.5mm /57.5mm
TTV
<3μm
Bow-30<bow<30
Warp<40μm
Orientation Flat
All available
Surface Type
Single Side Polished(SSP) /Double Sides Polished(DSP)
Polished side Ra
<0.5nm
Back Side Criteria
General is 0.2-0.5μm or as customized
S/D40/20 or 20/10
Edge CriteriaR=0.2mm or Bullnose
R=0.2mm C-type or Bullnose
Optical doped
Fe/Zn/MgO etc for optical grade LN< wafers

Mg/Fe/Zn/MgO etc for optical grade   LN&LT wafers per requested

Refractive index

No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm wavelengthgeneral:5.9x10-11<s<2.0*10-10 at 25℃No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm wavelength/prism   coupler method.



Wafer Surface Criteria

ContaminationNone
Particles ¢>0.3 μm
<= 30
Scratch , Chipping
None
DefectNo edge cracks, scratches, saw marks, stains


供應(yīng)產(chǎn)品
區(qū)熔硅片
化合物半導體
外延片
氧化片
單晶硅棒
直拉硅片
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