什么是單晶硅?單晶硅通常指的是硅原子的一種排列形式形成的物質(zhì)。 硅是最常見應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料,當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成晶核,其晶核長成晶面取向相同的晶粒,形成單晶硅。 單晶硅作為一種比較活潑的非金屬元素晶體,是晶體材料的重要組成部分,處于新材料發(fā)展的前沿。單晶硅材料制造要經(jīng)過如下過程:石英砂-冶金級硅-提純和精煉-沉積多晶硅錠-單晶硅-硅片切割。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱等。 單晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。 晶體性質(zhì) 半導(dǎo)體 能帶理論 能帶理論用單電子近似方法研究固體中電子能譜的理論。它是在用量子力學(xué)研究物質(zhì)的電導(dǎo)理論的過程中發(fā)展起來的。關(guān)于固體中電子能量狀態(tài)的最早的理論是金屬自由電子論。 實際上,晶體是由大量的原子組成,每個原子又包含原子核及許多電子,它們之間存在著相互作用,每一個電子的運動都受到原子核及其他電子的影響。要研究一個電子的運動,嚴(yán)格說來,必須寫出這個包含大量原子核及電子的多體系統(tǒng)的薛定諤方程,并求出此方程的解。但是要求出其嚴(yán)格解是很困難的,通常采用單電子近似方法,把多體問題簡化為單電子問題進行研究。這種近似方法包括兩個步驟:第一步,假設(shè)晶體中的原子核固定不動,好象靜止在各自的平衡位置上,把一個多體問題簡化成一個多電子問題;第二步,假設(shè)每個電子是在固定的原子核的勢場及其他電子的平均勢場中運動,把多電子問題簡化為單電子問題。用這種方法研究晶體中的電子運動,表明晶體中電子許可的能量狀態(tài),將不再是分立的能級,而是由在一定范圍內(nèi)準(zhǔn)連續(xù)分布的能級組成的能帶(稱為允帶)。兩個相鄰允帶之間的區(qū)域稱為禁帶。能級被電子占滿的能帶稱為滿帶。能級全空著,沒有電子占據(jù)的能帶稱為空帶。被價電子占有的允帶稱為價帶。由一個禁帶隔開的兩個鄰近允帶之間的最小能量差稱為能隙。通常用價電子占據(jù)的滿帶及其上面的空帶討論物質(zhì)導(dǎo)電情況。由于外界條件的作用,價帶中的電子可躍遷到上面的空帶中去,價帶由滿帶變?yōu)椴粷M帶,空帶中有了電子稱為導(dǎo)帶。一種晶體的各個允許能帶有一定的寬度,能量高的能帶較寬,能量低的能帶較窄,每一個能帶里包含的能級數(shù)目等于晶體所包含的原胞數(shù)目。能帶理論成功地解釋了金屬、半導(dǎo)體和絕緣體之間的差別。 本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體 沒有摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體,其中電子和空穴的濃度是相等的。而為了控制半導(dǎo)體的性質(zhì)需要人為的在半導(dǎo)體中或多或少的摻入某種特定雜質(zhì)的半導(dǎo)體,稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。當(dāng)雜質(zhì)為施主型雜質(zhì)(起施放電子作用)稱為N型半導(dǎo)體,當(dāng)雜質(zhì)為受主型雜質(zhì)(接受電子而產(chǎn)生空穴)稱為P型半導(dǎo)體。下一篇什么是MEMS 硅片?
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